CY7C1470V25-200BZI
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CY7C1470V25-200BZI

数据手册
封装

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CY7C1470V25-200BZI
CY7C1470V25-200BZI
数据手册


商品详情

  • ECC
    N
  • Frequency
    200 MHz
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.38 V 至 2.63 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    NoBL, Pipeline
  • 片上端接
    N
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 36
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 质量等级
    Industrial
  • 银行切换
    N

推荐的
OPN
CY7C1470V25-200BZI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P -BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85165)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P -BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85165)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY7C1470V25-200BZI是一款72 Mbit（2M × 36）2.5 V同步流水线突发SRAM，采用No Bus Latency（NoBL）架构。支持200 MHz零等待总线操作，输入/输出全寄存，并具备字节写与线性或交错突发顺序。供电范围2.375 V至2.625 V，工作温度-40°C至+85°C，封装为165球FBGA。

特性

  • NoBL SRAM，读写零等待
  • 200 MHz同步流水总线
  • 输入输出全寄存器
  • 最大tCO 3.0 ns
  • 突发计数器最多4拍
  • 支持线性/交错突发
  • BW[x]字节写选择
  • VDD=2.5 V(2.375-2.625)
  • VDDQ=2.5 V(2.375-VDD)
  • CEN时钟使能可暂停
  • 异步OE三态输出控制
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 零等待提升总线带宽
  • 200 MHz支持高速SRAM总线
  • 寄存器I/O更易收敛时序
  • tCO 3.0 ns降低读延迟
  • 4拍突发减少地址翻转
  • 突发顺序适配缓存行
  • 字节写简化读改写更新
  • 2.5 V内核较3.3 V更省电
  • 2.5 V I/O匹配常见逻辑
  • CEN可延长周期/暂停
  • OE避免总线争用
  • JTAG加速板级测试调试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区