CY7C1471BV33-133BZI
现货，推荐

CY7C1471BV33-133BZI

封装

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CY7C1471BV33-133BZI
CY7C1471BV33-133BZI

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    3.14 V 至 3.63 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    NoBL, Flow-through
  • 片上端接
    N
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 36
  • 认证标准
    Industrial
  • 银行切换
    N
  • 频率
    133 MHz
推荐的
OPN
CY7C1471BV33-133BZI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P -BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85165)
封装尺寸 525
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P -BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85165)
封装尺寸 525
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1471BV33-133BZI是一款72-Mbit同步直通突发SRAM（2M × 36），采用NoBL架构，消除写转读的空周期。支持133 MHz工作，时钟到数据有效tCDV为6.5 ns，输入寄存并进行读/写/去选通流水操作。支持最长4字线性或交错突发、BWX字节写、3个片选加OE，以及ZZ睡眠模式。

特性

  • 72-Mbit同步突发SRAM
  • NoBL消除空周期
  • 高达133 MHz, 7.5 ns周期
  • 每个时钟传输数据
  • 6.5 ns时钟到输出(tCDV)
  • 同步输入寄存
  • BWX+WE字节写
  • 线性或交织突发顺序
  • 3个片选CE1/CE2/CE3
  • 异步OE三态控制
  • ZZ或CE自动掉电
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 读写可背靠背提升吞吐
  • 零等待减少总线停顿
  • 133 MHz支持高速处理
  • 每时钟传输提升带宽
  • 6.5 ns tCDV降低读延迟
  • 输入寄存简化时序收敛
  • 字节写减少写带宽
  • 突发模式匹配CPU/DSP
  • 3片选简化扩展
  • OE三态便于总线共享
  • 掉电降低空闲功耗
  • JTAG加速测试与调试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区