CY7C1525KV18-250BZXC
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1525KV18-250BZXC

封装

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CY7C1525KV18-250BZXC
CY7C1525KV18-250BZXC

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 9
  • 架构
    QDR-II
  • 片上端接
    N
  • 系列
    QDR-II
  • 组织(X x Y)
    8Mb x 9
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 认证标准
    Commercial
  • 读取延迟(周期)
    1.5
  • 银行切换
    N
  • 频率
    250 MHz
推荐的
OPN
CY7C1525KV18-250BZXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 136
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 136
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1525KV18-250BZXC是一款72-Mbit QDR II同步流水SRAM，组织为8M × 9，读写端口独立，可并发读写。250 MHz速度等级采用DDR接口（数据传输最高500 MHz），支持两字突发访问，并可通过DOFF选择1.5周期或1周期读延迟。内核电压1.7–1.9 V，I/O电压1.4 V–VDD，165球无铅FBGA封装。

特性

  • 72-Mbit QDR II SRAM架构
  • 独立读/写数据端口
  • 支持读写并发事务
  • 所有访问两字突发
  • DDR I/O：350 MHz/700 MHz
  • DOFF=高：1.5周期读延迟
  • DOFF=低：1周期读延迟
  • 输入K/K，输出C/C时钟
  • CQ/CQ回波时钟便于采样
  • 内核VDD 1.7-1.9 V
  • VDDQ 1.4 V至VDD
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 高带宽适用于高速网络
  • 无需总线回转等待
  • 读写并行提升吞吐
  • 两字突发降低命令开销
  • 700 MHz DDR加速传输
  • 低延迟读取满足严苛时序
  • DOFF可选延迟/流水
  • 分离时钟简化时序收敛
  • 回波时钟简化PCB采样
  • 1.8 V内核有助降功耗
  • HSTL电平匹配高速链路
  • JTAG加速测试与调试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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