CY7C25652KV18-400BZXI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C25652KV18-400BZXI

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C25652KV18-400BZXI
CY7C25652KV18-400BZXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    QDR-II+, ODT
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 36
  • 认证标准
    Industrial
  • 频率
    400 MHz
推荐的
OPN
CY7C25652KV18-400BZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 136
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 136
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C25652KV18-400BZXI是一款72-Mbit QDR II+同步流水SRAM，2M × 36结构，读写端口独立，可并发访问。支持四字突发、2.5个周期读延迟，读写端口均为DDR接口（每个时钟沿传输数据）。VDD为1.7–1.9 V，VDDQ为1.4 V至VDD，165球FBGA封装，工业级-40至+85°C范围。

特性

  • 550 MHz时钟(DDR 1100 MHz)
  • 独立读写数据端口
  • 支持读写并发事务
  • 四字突发架构
  • DOFF高:2.5周期读延迟
  • DOFF低:1周期读延迟
  • 双输入时钟K与K
  • 回显时钟CQ/CQ便于采样
  • QVLD指示读数据有效
  • D/BWS/K支持片上终端ODT
  • PLL最低可到120 MHz
  • 内核VDD为1.7 V至1.9 V

产品优势

  • 高带宽适合DSP/ASIC
  • 消除数据总线翻转等待
  • 读写可并行执行
  • 降低地址总线频率
  • 固定2.5周期读时延
  • 1周期读满足低延迟
  • K/K简化DDR时序设计
  • 高速采样更容易
  • QVLD降低时序收敛难度
  • ODT减少终端电阻和BOM
  • PLL提升数据对齐裕量
  • 1.8 V内核降低系统功耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }