CY7C4141KV13-667FCXC
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C4141KV13-667FCXC

封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C4141KV13-667FCXC
CY7C4141KV13-667FCXC

商品详情

  • ECC
    Y
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    1.26 V 至 1.34 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    QDR-IV
  • 片上端接
    Y
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    QDR-IV
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 认证标准
    Commercial
  • 读取延迟(周期)
    5
  • 银行切换
    N
  • 频率
    667 MHz
推荐的
OPN
CY7C4141KV13-667FCXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-FCBGA-361
封装名 FCBGA-361 (001-70319)
封装尺寸 300
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-FCBGA-361
封装名 FCBGA-361 (001-70319)
封装尺寸 300
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C4141KV13-667FCXC为144-Mbit QDR-IV HP SRAM，4M × 36结构，面向随机访问优化，带两个独立双向DDR数据端口。最高667 MHz时钟（1334 MT/s RTR），两字突发，控制为SDR、地址为DDR。集成ODT、总线反相、地址奇偶校验及JTAG 1149.1测试端口，并内置ECC纠正单比特错误。

特性

  • 144 Mbit QDR-IV HP SRAM
  • 总速率1334 MT/s
  • 最高工作频率667 MHz
  • 读取延迟5个时钟周期
  • 写入延迟3个时钟周期
  • 所有访问均为双字突发
  • 双向DDR双数据端口
  • 两端口可并发读写
  • DDR地址与SDR控制信号
  • POD/HSTL/SSTL接口(JESD)
  • 片上终端ODT可编程
  • ECC+总线反转+地址奇偶校验

产品优势

  • 144 Mbit减少外部存储器需求
  • 1334 MT/s提升系统吞吐量
  • 667 MHz支持高速时钟设计
  • 读延迟5周期降低等待
  • 写延迟3周期降低时延
  • 双字突发提升总线效率
  • 双端口提升并行处理能力
  • 全双工访问减少瓶颈
  • DDR地址实现更高RTR
  • JESD接口便于板级对接
  • ODT简化信号完整性设计
  • ECC/校验降低数据错误风险

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区