现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CYEL15B102Q-SXM

耐辐射、高可靠性、小尺寸、2Mb 非易失性串行外设接口 (SPI) F-RAM，适用于新空间
数据手册
封装

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CYEL15B102Q-SXM
CYEL15B102Q-SXM
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 封装
    PG-SOIC-8
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 工作电压
    2 V to 3.6 V
  • 引线球表面
    Pb-free
  • 接口
    SPI
  • 电感
    SPI
  • 系列
    F-RAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 8
  • 认证标准
    Military
  • 频率
    25 MHz
推荐的
OPN
CYEL15B102QSXMXLSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 94
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 94
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的耐辐射 2Mb SPI 铁电 RAM (F-RAM) 是业界功耗最低的非易失性存储器解决方案之一，可保证 50 Krad (Si) TID 和几乎无限的耐用性。英飞凌的即时非易失性写入技术和超过100年的数据保留时间为新的空间应用提供了最高的可靠性。

特性

  • Mb 密度
  • SPI 接口工作频率高达 25 MHz
  • 英飞凌即时非易失性写入技术
  • 10 万亿次读/写周期耐用性
  • +85°C 下数据保留 120 年
  • 极低编程电压 (2V)
  • 2.0 V–3.6 V 工作电压范围
  • 低工作电流（最大 10 mA）
  • –55°C/+125°C 军用温度等级
  • 8 引脚 SOIC 封装

产品优势

  • 符合 AEC-Q006 标准
  • 符合 ROHS 标准
  • 50 Krad (Si) TID 辐射性能
  • 单一批次日期代码 (SLDC)
  • 100% 电气测试覆盖率
  • 符合性证书 (CoC)

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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