现货，推荐
符合RoHS标准

CYRS15B102Q-GGMB

英飞凌推出业界首款抗辐射、高可靠性、小尺寸、2 Mb 非易失性 SPI 铁电 RAM (F-RAM)。
数据手册
封装

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CYRS15B102Q-GGMB
CYRS15B102Q-GGMB
数据手册

商品详情

  • Density
    2 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -55 °C to 125 °C
  • Operating Voltage
    2 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Au
  • Interfaces
    SPI
  • Organization (X x Y)
    4Mb x 18
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Qualification
    Military
  • Device weight
    648.9 mg
  • Frequency
    25 MHz
受到推崇的
OPN
CYRS15B102Q-GGMB
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
CG-SSOP-16
封装名 CERAMIC-SOP-16 (002-23171)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
CG-SSOP-16
封装名 CERAMIC-SOP-16 (002-23171)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的抗辐射 SPI F-RAM 是业界功耗最低的非易失性存储器解决方案之一，具有抗单粒子翻转 (SEU) 和几乎无限的耐用性。英飞凌的即时非易失性写入技术和超过 100 年的数据保留时间为空间应用提供了最高的可靠性。注意：本部分已被 5962R1821601VXC 取代

特性

  • 2 Mb 密度
  • SPI 接口工作频率高达 25 MHz
  • 即时非易失性写入技术
  • 10 万亿次读/写周期耐用性
  • 在 +85°C 下数据保留 120 年
  • 极低编程电压 (2V)
  • 低工作电流 (10 mA)最大）
  • –55°C 至 +125°C 军用温度等级
  • 16 引脚陶瓷 SOP (CSOP)
  • DLAM QML-V qual 2Mb rad 硬 SPI F-RAM
  • 辐射性能

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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