CYRS16B256-133FZMB
现货,推荐
符合RoHS标准

CYRS16B256-133FZMB

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CYRS16B256-133FZMB
CYRS16B256-133FZMB


商品详情

  • Frequency
    133 MHz
  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Au
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2030
  • 系列
    FL-L
  • 组织(X x Y)
    x4
  • 设备重量
    3878.7 mg
  • 质量等级
    Military

OPN
CYRS16B256-133FZMB
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 FLATPACK-36 (002-26946)
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
US
晶圆产地
CN

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 FLATPACK-36 (002-26946)
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
US
晶圆产地
CN
英飞凌的耐辐射串行 NOR Flash系列提供符合 QML-V 等效规范的高性能、小型封装存储器器件。 我们的耐辐射串行 NOR Flash存储器具有低引脚个数、低功耗特点,并提供超越普通串行闪存器件的灵活性、可靠性和性能。 行业标准的QSPI接口具有高性能、易用性以及广泛的生态系统支持。

特性

  • 256 Mb 密度
  • QSPI 接口
  • 50MHz SDR(读取)时钟频率
  • 133MHz SDR 快速dual quad读取时钟频率
  • 66MHz DDR(quad read)时钟频率
  • 1000 次编程/扇区擦除耐久性循环
  • 100 年数据保留
  • 典型扇区擦除时间 270 毫秒,64 KByte
  • 工作电压范围:2.7V 至 3.6V
  • 低工作电流(最大 10 mA)
  • –55°C 至 +125°C 军用温度等级
  • 36-pin陶瓷扁平封装
文档

设计资源

开发者社区