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符合RoHS标准

CYRS16B512-133FZMB

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CYRS16B512-133FZMB
CYRS16B512-133FZMB
数据手册

商品详情

  • Density
    512 MBit
  • Peak Reflow Temp
    220 °C
  • Operating Temperature
    -55 °C to 125 °C
  • Operating Voltage
    3 V
  • Lead Ball Finish
    Ni/Au
  • Interface Bandwidth
    133 MByte/s
  • Interfaces
    Dual-Quad SPI
  • Interface Frequency (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • Family
    FL-L
  • Currently planned availability until at least
    2030
  • Qualification
    Military
  • Device weight
    3878.7 mg
受到推崇的
OPN
CYRS16B512-133FZMB
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
CG-FP-36
封装名 FLATPACK-36 (002-26946)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
CG-FP-36
封装名 FLATPACK-36 (002-26946)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的耐辐射 CYRS16B 和 CYPT16B 串行 NOR 闪存系列提供业界性能最高、占用空间较小的存储设备，符合 QML-V 等效标准。我们的耐辐射 NOR 闪存具有引脚数少、功耗低的特点，并且提供远超普通串行闪存设备的灵活性、可靠性和性能。行业标准 QSPI 接口性能高、使用简单，并具有广泛的生态系统支持。

特性

  • 512 Mb 密度
  • QSPI / 双 QSPI
  • 50MHz SDR（读取）时钟频率
  • 133MHz SDR 快速双四路读取时钟频率
  • 66MHz DDR（四路读取）时钟频率
  • 1000 次程序/扇区擦除耐久性循环
  • 100 年数据保留
  • 2.0V–3.6 V 工作电压范围
  • 64 KB 典型扇区擦除时间为 270ms
  • 2.7 V 至 3.6 V 工作电压范围
  • 低工作电流（最大 10 mA）
  • –55°C 至 +125°C 军用温度等级

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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