现货，推荐
符合RoHS标准

DDB2U60N07W1RF_B58

EasyBRIDGE ™ 650 V整流桥模块
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

DDB2U60N07W1RF_B58
DDB2U60N07W1RF_B58
数据手册

商品详情

  • 最高 I(FSM)
    340 A
  • IRMSM
    70 A
  • 封装
    EasyBRIDGE 1
  • 尺寸 (width)
    33.8 mm
  • 尺寸 (length)
    62.8 mm
  • 电压等级
    650 V
  • 最高 电压等级
    650 V
  • 配置
    SiC Rectifier Bridge
推荐的
OPN
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 N/A
包装尺寸 24
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 -
包装尺寸 24
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
650 V、60 A EasyBRIDGE ™整流桥模块采用 CoolSiC ™ MOSFET 和™ CoolSiC ™肖特基二极管 G5 650 V、NTC，采用 Easy 1B 外壳，采用 PressFIT 接触技术。

特性

  • 高度为 12 毫米的同类最佳封装
  • 前沿的WBG材料
  • 极低的模块杂散电感
  • PressFIT 销
  • 集成NTC温度传感器
  • 第五代碳化硅肖特基二极管技术

产品优势

  • 出色的模块效率
  • 系统成本优势
  • 系统效率提升
  • 降低冷却要求
  • 启用更高频率
  • 提高功率密度
  • 紧凑的设计
  • 提升直流快速充电性能

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }