现货，推荐
符合RoHS标准

DF8MR12W1M1HF_B67

升压器 1200 V CoolSiC ™ MOSFET 模块
数据手册

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DF8MR12W1M1HF_B67
DF8MR12W1M1HF_B67
数据手册

商品详情

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    16 mΩ
  • Housing
    Easy 1B
  • Dimensions (length)
    62.8 mm
  • Dimensions (width)
    33.8 mm
  • Applications
    EV Charger, Solar, UPS, ESS
  • Features
    PressFIT
  • Qualification
    Industrial
  • Configuration
    Booster
受到推崇的
OPN
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 N/A
包装尺寸 24
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 -
包装尺寸 24
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EasyPACK ™ 1B 1200 V、16 mΩ 和 2 MPPT 升压模块，采用 CoolSiC ™ MOSFET 增强型第一代和 PressFIT 接触技术。

特性

  • 同类最佳封装：12 mm 高度
  • 简易模块封装
  • 极低的模块杂散电感
  • 宽 RBSOA
  • 1200 V CoolSiC ™ MOSFET
  • 栅极驱动电压：+15…+18 V 和 0…-5 V
  • 最大。栅极-源极电压：+23 V 和 -10 V
  • Tvjop 在过载条件下。< 175°C
  • PressFIT 引脚
  • 集成 NTC 温度传感器

应用

光伏

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }