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FD800R45KL3-K_B5

4500 V、800 A斩波IGBT模块
数据手册

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FD800R45KL3-K_B5
FD800R45KL3-K_B5
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • IC max
    1200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.5 V
  • VCES / VRRM
    4500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.5 V
  • Housing
    IHV
  • Dimensions (width)
    140 mm
  • Dimensions (length)
    190 mm
  • Technology
    IGBT3 - L3
  • Features
    10.4kV isolation
  • Voltage Class max
    4500 V
  • Qualification
    Industrial, Traction
  • Configuration
    Chopper
受到推崇的
OPN
FD800R45KL3KB5NPSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 A-IHV190
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 A-IHV190
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
4500V IHV、800 A 190mm 斩波 IGBT 模块，配备沟槽/场截止 IGBT3、发射极控制 3 二极管和隔离 AlSiC 底板 - 牵引和工业应用的最佳解决方案

特性

  • 高直流稳定性
  • 低 VCEsat
  • 扩展存储温度
  • * 低至 T(stg) = -55°C
  • CTI > 600 的封装
  • 封装隔离 10.4 kV AC 1min
  • 高爬电距离和电气间隙
  • AlSiC 底板搭配 AlN 基板
  • 可提高热循环
  • 防火防烟 EN45545 R22、R23：HL3
  • 斩波拓扑

产品优势

  • 标准化外壳：190x140x48 毫米
  • 数十年的现场经验
  • 使用寿命长
  • 抗过载和故障能力强
  • 低 FIT 率

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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