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FF1200R17KP4_B2

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1700 V、1200 A 双IGBT模块
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FF1200R17KP4_B2
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • IC max
    1200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.9 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • 封装
    IHM
  • 尺寸 (length)
    130 mm
  • 尺寸 (width)
    140 mm
  • 技术
    IGBT4 - P4
  • 特性
    Enlarged Diode
  • 电压等级 max
    1700 V
  • 认证标准
    Industrial, Traction
  • 配置
    Dual
OPN
FF1200R17KP4B2NOSA2
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 A-IHM130
封装名 N/A
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 A-IHM130
封装名 -
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IHM 1700 V、1200 A、130mm 双 IGBT 模块，带有软开关 Trench/场终止 IGBT4 和发射极控制 3 二极管。

特性

  • 低 V(cesat)
  • 扩大的再生二极管。操作
  • 4 kV AC 1min 绝缘
  • AlSiC 底板
  • 增加。热循环能力
  • UL 认证
  • 高功率和热循环能力。

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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