不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

FF150R12KS4_B2

1200 V、150 A 半桥 IGBT 模块
数据手册
评估板

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FF150R12KS4_B2
FF150R12KS4_B2
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    150 A
  • 最高 IC
    150 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    3.2 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 技术
    IGBT2 Fast
  • 特性
    M5 power terminals, M5-screw nut, Fast short tail IGBT chip
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    half-bridge
OPN
FF150R12KS4B2HOSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
包装尺寸 10
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
包装尺寸 10
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
带有 M5 乘方端子的 62 mm C 系列 1200 V、150 A 半桥 IGBT 模块和用于高频开关的快速 IGBT2 是您设计的正确选择。 也可配备 M6 乘方终端。

特性

  • 高短路能力
  • 自限制短路电流
  • 低开关损耗
  • 无与伦比的加固性
  • VCEsat与负载温度。
  • 带有CTI的封装> 400
  • 高爬电距离和间隙距离
  • 绝缘的基板
  • 铜基板
  • 标准外壳

文档

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