FF2MR12W3M1H_B11
现货，推荐
符合RoHS标准

FF2MR12W3M1H_B11

EasyDUAL™ 3B CoolSiC™ MOSFET 半桥模块 1200 V
数据手册

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FF2MR12W3M1H_B11
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商品详情

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    1.44 mΩ
  • 封装
    Easy 3B
  • 尺寸 (width)
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    109.85 mm
  • 应用
    Fuel-cell, CAV, ESS, Servo Drives, Solar, UPS
  • 特性
    PressFIT
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    Half-bridge
推荐的
OPN
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-EASY3B
封装名 N/A
封装尺寸 8
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-EASY3B
封装名 -
封装尺寸 8
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EasyDUAL™ 3B 1200 V / 1.44 mΩ 半桥模块采用CoolSiC™ MOSFET，具有增强型第一代，集成 NTC 温度传感器和 PressFIT 压接技术。

特性

  • 一流的封装：12毫米高
  • 小功率模块封装
  • 极低电平模块杂散噪声
  • 低电平和等额噪声
  • 对称内部芯片布局
  • 宽RBSOA
  • 1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • 谐波驱动电压： +15…+18 V 和 0…-5 V
  • 最大。 过载条件下电流源 v.：+23 V 和 -10 V
  • Tvjop < 175°C
  • 压接引脚
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }