FF600R07ME4_B11
现货,推荐
符合RoHS标准

FF600R07ME4_B11

650 V、600 A 半桥 IGBT 模块

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FF600R07ME4_B11
FF600R07ME4_B11

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    600 A
  • 最高 IC
    600 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • VCES / VRRM
    650 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • 封装
    EconoDUAL™ 3
  • 尺寸 (width)
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    152 mm
  • 技术
    IGBT4 - E4
  • 特性
    PressFIT
  • 最高 电压等级
    650 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    half-bridge
OPN
FF600R07ME4B11BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EconoDUAL™ 3 650 V、600 A 半桥 IGBT 模块,采用TRENCHSTOP™ IGBT4、反偏二极管、NTC 和 PressFIT 压接技术。

特性

  • Incr. Blocking volt.capab。< 650 V
  • 增加直流母线电压
  • 高短路能力
  • 自限制短路电流
  • 高电流密度
  • Tvj op = 150°C
  • 高冲击电流能力
  • 高功率密度
  • 集成NTC温度传感器
  • 隔离铜芯
  • 加固的自成型PressFIT压接安装
  • 标准外壳
文档

设计资源

开发者社区

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