FM18W08-SGTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM18W08-SGTR

数据手册
封装

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FM18W08-SGTR
FM18W08-SGTR
数据手册


商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    70 ns

推荐的
OPN
FM18W08-SGTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
FM18W08-SGTR是一款256 Kbit（32 K × 8）并行F-RAM存储器，采用28引脚SOIC封装，具备高达151年非易失性数据保持和100万亿次读写耐久性。工作电压2.7 V至5.5 V，工业温度-40°C至+85°C，70 ns访问和130 ns周期实现快速SRAM性能。NoDelay™写入、低功耗（最大12 mA工作，典型20 μA待机）、抗湿气、冲击和振动，适用于工业和嵌入式系统频繁或快速写入场景。

特性

  • 32 K × 8字节宽F-RAM存储器
  • 断电后数据不丢失
  • 100万亿次读写耐久性
  • +65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，SRAM速度
  • 行业标准并行接口
  • 70 ns存取时间，130 ns周期
  • 2.7 V至5.5 V宽电压
  • 最大12 mA工作电流，典型20 μA待机
  • 兼容SRAM和EEPROM引脚
  • 抗冲击、振动、湿气
  • 铁电工艺高可靠性

产品优势

  • 无需电池备份数据持久
  • 实现快速频繁数据记录
  • 可直接替换SRAM/EEPROM
  • 写入无延迟，数据即刻更新
  • 恶劣环境下可靠运行
  • 低功耗延长系统电池寿命
  • 简化设计，无需轮询
  • 超长寿命减少维护
  • 读写速度一致
  • 宽电压适配多平台
  • 高耐久适合高强度应用
  • 抗电压瞬变

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区