现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM22LD16-55-BG

数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM22LD16-55-BG
FM22LD16-55-BG
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
FM22LD16-55-BG
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-91158)
包装尺寸 480
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-91158)
包装尺寸 480
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM22LD16-55-BG是一款4-Mbit（256K × 16）非易失性铁电RAM（F-RAM），访问时间为55 ns，可作为SRAM的直接替代品。支持高达100万亿次读写，65°C下数据保持151年，工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C。特性包括NoDelay™写入、页模式操作、软件块写保护和低功耗。48球FBGA封装，适用于工业应用。

特性

  • 4-Mbit非易失F-RAM，256K×16结构
  • 读写耐久度达100万亿次
  • 65°C下数据保存151年
  • NoDelay™写入实现瞬时存储
  • 页模式操作，周期25 ns
  • 兼容SRAM，标准引脚布局
  • 访问时间55 ns，周期110 ns
  • 软件可编程分块写保护
  • 有效电流8 mA，待机90 μA
  • 低电压运行：VDD=2.7-3.6 V
  • 低电压监控保护数据
  • 单片可靠性，无需电池

产品优势

  • 数据即时保存，无需等待
  • 支持频繁无限次写入
  • 百年数据可靠保存
  • 无需电池维护或更换
  • 可直接替换标准SRAM
  • 快速访问提升性能
  • 页模式高效批量传输
  • 分块写保护防误操作
  • 低功耗降低系统能耗
  • 适用于低电压系统
  • 电压波动时保护数据
  • 抗震防潮高可靠性

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }