现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM22LD16-55-BGTR

数据手册
封装

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FM22LD16-55-BGTR
FM22LD16-55-BGTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
FM22LD16-55-BGTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-91158)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-91158)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM22LD16-55-BGTR是一款4 Mbit（256K × 16）并行铁电RAM，访问时间55 ns，可作为异步SRAM的非易失性直接替代。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C，支持100万亿次读写和65°C下151年数据保存。具备软件可编程块写保护、NoDelay™快速写入、页模式和低功耗。48球FBGA封装，符合RoHS标准，适用于工业环境。

特性

  • 4-Mbit非易失F-RAM，256K×16结构
  • 读写耐久度达100万亿次
  • 65°C下数据保存151年
  • NoDelay™写入实现瞬时存储
  • 页模式操作，周期25 ns
  • 兼容SRAM，标准引脚布局
  • 访问时间55 ns，周期110 ns
  • 软件可编程分块写保护
  • 有效电流8 mA，待机90 μA
  • 低电压运行：VDD=2.7-3.6 V
  • 低电压监控保护数据
  • 单片可靠性，无需电池

产品优势

  • 数据即时保存，无需等待
  • 支持频繁无限次写入
  • 百年数据可靠保存
  • 无需电池维护或更换
  • 可直接替换标准SRAM
  • 快速访问提升性能
  • 页模式高效批量传输
  • 分块写保护防误操作
  • 低功耗降低系统能耗
  • 适用于低电压系统
  • 电压波动时保护数据
  • 抗震防潮高可靠性

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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