FM24V02A-G
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM24V02A-G

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM24V02A-G
FM24V02A-G
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    3.4 MHz
推荐的
OPN
FM24V02A-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM24V02A-G是一款256 Kbit（32K × 8）串行铁电RAM（F-RAM），采用I2C接口，具备高达100万亿次（1014）读写耐久性和在65°C下151年数据保持能力。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C，支持最高3.4 MHz I2C时钟。NoDelay™写入、低功耗和EEPROM直接替换，适用于数据记录、工业控制和计量。

特性

  • 256 Kbit非易失性F-RAM
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™即时写入技术
  • I2C接口最高3.4 MHz
  • 低功耗：175 μA工作，8 μA休眠
  • 宽VDD：2.0 V至3.6 V
  • 工业温度：–40°C至+85°C
  • 只读设备ID
  • 写保护引脚
  • 输入施密特触发器抗干扰
  • 直接替换EEPROM

产品优势

  • 长期可靠数据存储
  • 高频快速写入无磨损
  • 消除写入延迟提升速度
  • 兼容标准I2C设计
  • 降低系统功耗
  • 适应恶劣环境
  • 便于设备识别和追溯
  • 防止误写保护数据
  • 抗噪声干扰能力强
  • 简化EEPROM迁移

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区