FM24V10-G
现货，推荐
符合RoHS标准

FM24V10-G

适用于工业应用、具有宽工作范围的高频 1 Mbit I²C F-RAM
数据手册
封装
评估板

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FM24V10-G
FM24V10-G
数据手册


商品详情

  • Frequency
    3.4 MHz
  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
FM24V10-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM24V10-G是一款1 Mbit（128K × 8）串行F-RAM存储器，采用业界标准I2C接口，具备100万亿次读写耐久性和在65°C下151年数据保持能力。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C，支持NoDelay™总线速度写入，I2C频率最高3.4 MHz，休眠电流最低5 μA。可直接替换串行EEPROM，适用于数据记录和工业控制等频繁或快速写入应用。

特性

  • 1-Mbit (128K × 8) F-RAM存储器
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C接口最高3.4 MHz
  • 支持100kHz/400 kHz/1 MHz/3.4 MHz
  • 100 kHz下175μA工作电流
  • 5μA休眠电流
  • 2.0 V至3.6 V低电压工作
  • 工业级温度–40°C至+85°C
  • 设备ID和唯一序列号选项
  • 直接替换I2C EEPROM

产品优势

  • 支持频繁快速数据记录
  • 消除写入延迟提升效率
  • 数据可长期可靠保存
  • 降低运行功耗
  • 休眠省电延长电池寿命
  • 兼容多种I2C总线速率
  • 适应恶劣工业环境
  • 便捷升级I2C EEPROM
  • 系统识别与追踪更简单
  • 写入后无需轮询
  • 降低系统开销优于EEPROM
  • 适合高写入应用
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