现货，推荐
符合RoHS标准

FM24V10-G

适用于工业应用、具有宽工作范围的高频 1 Mbit I²C F-RAM
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM24V10-G
FM24V10-G
每件.
数据手册

商品详情

  • Density
    1 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 85 °C
  • Operating Voltage
    2 V to 3.6 V
  • Operating Voltage (VCCQ)
    2 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Pure Sn
  • Interfaces
    I2C
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Organization (X x Y)
    128Kb x 8
  • Qualification
    Industrial
  • Speed
    0 ns
  • Frequency
    3.4 MHz
受到推崇的
OPN
FM24V10-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 485
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 485
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM24V10-G 是采用先进铁电技术的 1 Mbit 非易失性存储器。作为铁电随机存取存储器 (F-RAM)，它可提供长达 151 年的可靠数据保存，并消除了与 EEPROM 和其他非易失性存储器相关的复杂性。由于写入操作以总线速度进行且没有写入延迟，与 EEPROM 相比，它具有相当强的写入耐久性并且写入期间的功耗更低。它能够支持 1014 次读/写周期，非常适合需要频繁或快速写入的应用，例如数据记录和工业控制。FM24V10-G 能够以更少的系统开销实现更频繁的数据写入，使其成为非易失性存储器应用的可靠选择。

特性

  • 1 Mbit F-RAM 逻辑组织为 128K × 8
  • 快速双线串行接口 (I2C)
  • 设备 ID 和序列号
  • 低功耗
  • 低电压工作：VDD = 2.0 V 至 3.6 V
  • 工业温度：-40 °C 至 +85 °C

产品优势

  • 硬件兼容性
  • 唯一序列号
  • 只读设备 ID

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }