现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM24VN10-GTR

数据手册
封装

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FM24VN10-GTR
FM24VN10-GTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    3.4 MHz
推荐的
OPN
FM24VN10-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM24VN10-GTR是一款1-Mbit（128K × 8）串行I2C铁电RAM（F-RAM），支持100万亿次（1e14）读写和在65°C下151年数据保持。工作电压2.0 V至3.6 V，I2C速率最高3.4 MHz，具备低工作（100 kHz时175 μA）、待机（典型90 μA）和休眠（典型5 μA）电流。集成8字节唯一序列号，便于系统识别，适用于数据记录和工业控制等频繁非易失性写入应用。

特性

  • 1-Mbit (128K × 8) F-RAM存储器
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C接口最高3.4 MHz
  • 支持100kHz/400 kHz/1 MHz/3.4 MHz
  • 100 kHz下175μA工作电流
  • 5μA休眠电流
  • 2.0 V至3.6 V低电压工作
  • 工业级温度–40°C至+85°C
  • 设备ID和唯一序列号选项
  • 直接替换I2C EEPROM

产品优势

  • 支持频繁快速数据记录
  • 消除写入延迟提升效率
  • 数据可长期可靠保存
  • 降低运行功耗
  • 休眠省电延长电池寿命
  • 兼容多种I2C总线速率
  • 适应恶劣工业环境
  • 便捷升级I2C EEPROM
  • 系统识别与追踪更简单
  • 写入后无需轮询
  • 降低系统开销优于EEPROM
  • 适合高写入应用

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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