FM25040B-GTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25040B-GTR

数据手册
封装

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FM25040B-GTR
FM25040B-GTR
数据手册


商品详情

  • Frequency
    20 MHz
  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
FM25040B-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
FM25040B-GTR是一款4-Kbit（512×8）串行铁电随机存取存储器（F-RAM），具备高耐久非易失性存储，支持100万亿次读写循环，在65°C下数据可保存151年。工作电压为4.5 V至5.5 V，SPI接口最高20 MHz，具备先进写保护和低功耗。可在-40°C至+85°C范围内稳定运行，8引脚SOIC封装，符合RoHS标准，适用于工业、数据记录和控制应用。

特性

  • 4-Kbit F-RAM，512×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI接口最高20 MHz
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时工作电流250 μA
  • 典型待机电流4 μA
  • VDD工作范围4.5 V至5.5 V
  • 工作温度–40°C至+85°C

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 消除写入延迟提升速度
  • 支持频繁快速数据更新
  • 断电时防止数据丢失
  • 直接替换简化升级
  • SPI支持集成灵活
  • 防止误写保护数据
  • 降低系统功耗
  • 适用于恶劣工业环境
  • 长期数据保持减少维护
  • 全电压范围性能稳定
  • 易于集成现有设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区