FM25V02A-DGTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25V02A-DGTR

数据手册
封装

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FM25V02A-DGTR
FM25V02A-DGTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
FM25V02A-DGTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (001-85260)
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (001-85260)
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25V02A-DGTR是一款256 Kbit（32K × 8）串行F-RAM，支持高达40 MHz的SPI接口，读写耐久度达100万亿次，65°C下数据保持151年。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，具有低工作（2.5 mA）、待机（150 μA）、休眠（8 μA）电流。具备硬件和软件写保护，8引脚DFN封装，适用于工业和数据记录等频繁非易失性写入应用。

特性

  • 256 Kbit非易失性F-RAM存储器
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™总线级即时写入
  • SPI时钟频率高达40 MHz
  • 支持SPI模式0和模式3
  • 硬件写保护（WP引脚）
  • 软件写禁止指令
  • 1/4、1/2或全阵列块保护
  • 设备ID含厂商和产品信息
  • 低工作（2.5 mA）、待机（150 μA）、休眠（8 μA）电流
  • 2.0 V至3.6 V电源电压

产品优势

  • 断电后数据依然可靠
  • 可承受频繁快速写入
  • 151年数据保存保障
  • 无写入延迟，系统响应快
  • 40 MHz SPI实现高速访问
  • 灵活接口便于集成
  • 防止误写保护数据
  • 软硬件双重数据安全
  • 关键数据分区保护
  • 设备可追溯便于管理
  • 低功耗延长电池寿命
  • 宽电压适用多系统

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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