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符合RoHS标准

FM25V05-G

数据手册
封装
每件.
有存货

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FM25V05-G
FM25V05-G
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    64Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
FM25V05-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 970
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 970
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM25V05-G是一款512-Kbit（64K × 8）串行F-RAM存储器，具备高耐久性非易失性存储，支持高达100万亿次读写循环和151年数据保持。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，SPI总线速率最高40 MHz，支持0和3模式。NoDelay™总线速度写入、低功耗（1 MHz时300 μA，休眠5 μA）、硬件和软件写保护，适用于工业、数据记录和控制等频繁写入应用。

特性

  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • SPI总线频率高达40 MHz
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和模式3
  • 复杂写保护方案
  • 硬件写保护（WP脚）
  • 软件写禁止指令
  • 1/4、1/2或全阵列块保护
  • 设备ID含厂商和产品信息
  • 低功耗：300μA工作，90μA待机，5μA休眠

产品优势

  • 消除EEPROM/闪存耐久限制
  • 151年可靠数据保存
  • 无写入延迟，数据即存
  • 40 MHz SPI实现高速传输
  • 轻松升级旧设计
  • 灵活SPI模式兼容
  • 防止误写保护数据
  • 硬件脚增强安全性
  • 软件禁止防止误写
  • 块保护灵活安全
  • 设备ID便于管理追溯
  • 低功耗降低系统能耗

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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