FM25V20A-GTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25V20A-GTR

数据手册
封装

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FM25V20A-GTR
FM25V20A-GTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
FM25V20A-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25V20A-GTR是一款2 Mbit（256K × 8）非易失性F-RAM，采用高速SPI接口，最高支持40 MHz。具备10^14次读写耐久和65°C下151年数据保持，适用于工业控制和数据采集等频繁或快速数据记录场景。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C，支持NoDelay™写入、先进写保护、低功耗，并兼容8引脚SOIC封装的串行EEPROM和闪存。

特性

  • 2-Mbit F-RAM，256K × 8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™实时写入
  • 最高40 MHz SPI总线
  • 支持SPI模式0和3
  • 多级硬件/软件写保护
  • 1/4、1/2或全区块保护
  • 设备ID含厂商与产品信息
  • 低功耗：800 µA工作，3 µA休眠
  • 宽VDD：2.0 V至3.6 V
  • 工业温度：–40°C至+85°C

产品优势

  • 频繁快速数据记录更可靠
  • 即时写入无延迟
  • 超高耐久性保障寿命
  • 断电不丢失数据
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 灵活保护关键信息
  • 硬件软件多重安全
  • 系统中易于识别设备
  • 待机功耗低节能
  • 适应恶劣工业环境
  • 兼容标准SPI控制器
  • 数据数十年无需刷新
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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