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符合RoHS标准
无铅

FM28V020-SG

数据手册
封装
每件.
有存货

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FM28V020-SG
FM28V020-SG
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    70 ns
推荐的
OPN
FM28V020-SG
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
包装尺寸 540
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-28
封装名 SOIC-28 (51-85026)
包装尺寸 540
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM28V020-SG是一款256 Kbit（32K × 8）并行F-RAM，采用28引脚SOIC封装，具备151年（65°C）数据保存和100万亿次读写耐久性。工作电压2.0 V至3.6 V，工业级温度范围（–40°C至+85°C），存取时间70 ns，兼容SRAM，支持NoDelay™写入，低功耗，适用于工业自动化和数据记录等频繁非易失性存储应用。

特性

  • 256 Kbit非易失性F-RAM存储器
  • 32K × 8并行结构
  • 65°C下151年数据保持
  • 100万亿次读写耐久性
  • NoDelay™瞬时写入
  • SRAM兼容引脚布局
  • 70 ns访问，140 ns周期
  • 低功耗：5 mA工作，90 µA待机
  • VDD工作电压2.0 V至3.6 V
  • 未访问时总线高阻态
  • 页模式快速访问
  • 单片可靠性，无需电池

产品优势

  • 断电数据可保存数十年
  • 几乎无限写入寿命
  • 写入无延迟，数据即存
  • 直接替换SRAM简化设计
  • 快速访问提升系统性能
  • 低功耗节能
  • 兼容常用电压轨
  • 总线高阻态降低系统冲击
  • 页模式加快顺序访问
  • 无需电池维护
  • 恶劣环境下可靠
  • 设计简便，无需返工

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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