现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM28V202A-TGTR

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM28V202A-TGTR
FM28V202A-TGTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    NiPdAuAg
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    60 ns
推荐的
OPN
FM28V202A-TGTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM28V202A-TGTR是一款2-Mbit（128 K × 16）非易失性F-RAM存储器，采用并行接口，60 ns访问和90 ns周期时间。支持100万亿次读写耐久性，在65°C下可保存数据151年，具备NoDelay™写入、页模式和低功耗。工作电压2.0 V至3.6 V，44引脚TSOP II封装。适用于工业自动化、数据记录和计量等频繁写入应用，可直接替换SRAM。

特性

  • 2-Mbit F-RAM，128 K × 16结构
  • 可配置为256 K × 8
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，SRAM兼容
  • 60ns访问，90ns周期
  • 页模式30ns周期
  • 软件块写保护
  • 工作电流7mA，待机120μA
  • 睡眠电流3μA
  • VDD 2.0V至3.6 V
  • 16位数据总线，标准引脚

产品优势

  • 可靠非易失存储，无需电池
  • 直接替换SRAM，简化设计
  • 写入次数几乎无限
  • 断电数据保存数十年
  • 快速写入无等待
  • 低功耗延长电池寿命
  • 页模式提升吞吐量
  • 灵活配置适用多场景
  • 写保护增强数据安全
  • 睡眠模式极低功耗
  • 宽VDD适配多平台
  • 标准引脚便于集成

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }