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无铅

FS01M3R08A7MA2B

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HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™ :结构紧凑的 750 V/600 A B6 桥功率模块,针对各种功率类别的逆变器进行了优化

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FS01M3R08A7MA2B
FS01M3R08A7MA2B

商品详情

  • 最高 RthJC
    0.115 K/W
  • VCES (Tvj=25°C typ)
    750 V
  • 封装
    HybridPACK™ Drive G2
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 推出年份
    2026
  • 特性
    PinFin Base Plate, Short tabs
  • 最高 电压等级
    750 V
  • 目前计划的可用性至少到
    2042
  • 认证标准
    Automotive
  • 配置
    Sixpack
OPN
FS01M3R08A7MA2BHPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-HDG2XT-3311
封装名 N/A
包装尺寸 6
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-HDG2XT-3311
封装名 -
包装尺寸 6
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
功率模块采用第二代CoolSiC™汽车 1200 V MOSFET,针对从中到高功率汽车类别到高端商用、建筑和农用车辆的电动传动系统应用进行了优化

特性

  • Tvj,op = 200 °C 下的短时运行
  • PCB和冷却系统组装的指导元件
  • 碳化硅材料
  • 低水平 RDS
  • 低开关损耗
  • Tvj,op = 175°C
  • 4.2 kV DC 1s 绝缘
  • 高功率密度
  • 直冷式 PinFin 基板
  • 集成温度传感元件
  • PressFIT压接技术
  • 结构紧凑型设计

产品优势

  • 更高的温度循环能力
  • 集成温度传感器
  • 新型塑料材料
  • 更好的温度能力
  • 降低系统 BOM
  • 降低交流接触点阻抗
  • 降低插条温度
  • PressFIT压接技术
  • 电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令合规
  • 完全无铅
  • 卓越的可靠性

应用

文档

设计资源

开发者社区

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