IAUA180N08S5N026
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUA180N08S5N026

80 V、N 沟道、最大 2.6 mΩ、汽车 MOSFET、sTOLL (7x8)、OptiMOS ™ 5
数据手册
封装

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IAUA180N08S5N026
IAUA180N08S5N026
数据手册


商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    180 A
  • QG (typ @10V)
    67 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    87 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.6 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    PG-HSOF-5
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™5
  • 推出年份
    2021
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 质量等级
    Automotive

推荐的
OPN
IAUA180N08S5N026AUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-5
封装名 sTOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-5
封装名 sTOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IAUA180N08S5N026 是一款 2.6mR 80V MOSFET，采用 sTOLL 高功率无引线 7x8 2 封装，使用了英飞凌领先的 OptiMOS ™ 5 技术。除其他产品外，它还用于 LED 照明以及 HVAC 压缩机和安全开关等 48V 辅助设备。

特性

  • OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET
  • N沟道增强模式-正常水平
  • 符合 AEC Q101 要求
  • 增强电气测试
  • MSL3 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 低 RDS(on)
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备
文档

设计资源

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