现货，推荐
符合RoHS标准

IAUCN04S7L050H

40 V、N 沟道、5.04 mΩ、汽车电力电子 MOSFET、SSO8 HB (5x6)、 OptiMOS™ -7
数据手册
封装
每件.
有存货

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IAUCN04S7L050H
IAUCN04S7L050H
每件.
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    65 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    14 nC
  • QG (typ @10V)
    11 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    5.04 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 1.8 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • 封装
    Dual SSO8 HB
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 推出年份
    2025
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUCN04S7L050HATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8 HB
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8 HB
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
新型集成 SSO8 半桥 (5x6mm²) 封装是针对马达驱动和车身应用的创新型低价封装解决方案。集成半桥为桥接应用中的优化布线提供了理想的解决方案，并有助于大幅减少 PCB 面积。全新OptiMOS™ -7 40V 产品组合提供从 2.3 mΩ 至 5.4 mΩ 的宽 R DS(on) 范围，同时将电流额定值提高至 100A。

特性

  • 5x6 mm² 全桥封装
  • 100A 高电流能力
  • 2-通道H-桥配置
  • 前沿OptiMOS™ -7 40V
  • RDS(on) 范围：2.3 mΩ – 5.4 mΩ
  • 低 RDS(on) 和低寄生电感的内部铜夹连接
  • 高雪崩能力
  • SOA 可靠性

产品优势

  • 全桥结构高功率和电流密度
  • 优化布局和封装尺寸
  • 高热容量引线框架
  • 减少通态损耗
  • 优化开关
  • JEDEC 行业标准封装
  • 车规级可靠封装和 IFX 质量标准

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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