现货，推荐
符合RoHS标准

IAUCN04S7N020

40 V、N 沟道、最大 2.05mΩ、汽车 MOSFET、SSO8(5x6)、OptiMOS ™ 7
数据手册
封装

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IAUCN04S7N020
IAUCN04S7N020
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    120 A
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.49 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • Package
    PG-TDSON-8
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-7
  • Launch year
    2023
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
IAUCN04S7N020ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
16 种产品组合（RDS(on)max 从 0.4 mΩ 至 3.0 mΩ，可实现产品在应用中的最佳匹配。所有这些都使得该产品拥有市场上最佳的 FOM（RDS(on)x Qg）和性能。

特性

  • Ron*A 非常低
  • 高雪崩能力
  • 高 SOA 坚固性
  • 快速切换时间（开启/关闭）
  • N沟道–增强模式–逻辑电平
  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • 增强电气测试
  • 坚固的设计
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 低封装电阻和电感
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 高功率效率
  • 提高设计坚固性
  • 优化的切换性能
  • 占地面积小，冷却效率高
  • 高品质的产品设计
  • 高品质 FE&BE 生产
  • 出色的热性能

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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