现货，推荐
符合RoHS标准

IAUCN08S7N013

80 V、N 沟道、1.3 mΩ（最大值）、汽车 MOSFET、SSO8（5x6）、OptiMOS ™ 7
数据手册
封装

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IAUCN08S7N013
IAUCN08S7N013
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    175 A
  • QG (typ @10V) max
    116 nC
  • QG (typ @10V)
    89 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.3 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    PG-TDSON-8
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 推出年份
    2023
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUCN08S7N013ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌在我们的下一代尖端电源技术中推出了其首款 MOSFET：OptiMOS ™ 7 80V。这款首发产品采用我们多功能、坚固、高电流的 SSO8 5x6mm2 SMD 封装。它专为满足汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而设计。IAUCN08S7N013 在功率密度领域迈出了真正的一步。

特性

  • RDS(on) 较之前最佳值降低 50% 以上
  • 业界最佳的 RDS(on)
  • 前沿 FOM (RDS(on) x Qg)
  • 快速切换时间（开启/关闭）
  • 低封装电阻和电感
  • 高雪崩电流能力
  • 高 SOA 坚固性
  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • 增强电气测试
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 卓越的切换性能
  • 5x6mm 封装，功率密度最高
  • 高功率效率
  • 占地面积小，冷却效率高
  • 提高设计坚固性
  • 专为汽车坚固性而设计
  • 汽车行业的高质量生产
  • 出色的热性能

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }