IAUCN08S7N024T
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUCN08S7N024T

80 V、N 沟道、最大 2.44 mΩ、汽车 MOSFET、顶部冷却 SSO10T (5x7)、OptiMOS ™ 7
数据手册
封装

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IAUCN08S7N024T
IAUCN08S7N024T
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    165 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    71 nC
  • QG (typ @10V)
    54 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.44 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    PG-LHDSO-10
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 推出年份
    2025
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2040
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUCN08S7N024TATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LHDSO-10
封装名 SSO10T
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LHDSO-10
封装名 SSO10T
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IAUCN08S7N024T 是一款汽车 MOSFET，采用英飞凌领先的功率半导体技术 OptiMOS ™ 7 80V。该产品采用我们创新的顶部冷却 SSO10T 5x7 mm2 SMD 封装。SSO10T 封装可帮助客户在冷却和功率密度方面取得巨大进步。它专为满足汽车应用对高性能、高质量和稳健性的要求而设计。

特性

  • 直接冷却至 ECU 外壳
  • 几乎没有热量流入 PCB
  • 业界最大的裸露焊盘面积
  • 自由布线
  • 可以在 PCB 背面安装零件
  • 前沿导通电阻，RDS(on)
  • 快速切换时间（开启/关闭）
  • 严格的阈值电压 VGS(th) 范围
  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • 增强电气测试
  • 封装符合 JEDEC 标准

产品优势

  • 实现卓越的热管理
  • 热阻改善了 20% 至 50%
  • 热阻提高 20% 至 50%
  • 有助于减少 ECU 体积或 PCB 面积
  • 有助于降低 PCB 成本（面积、铜、过孔）
  • 减少 PCB 和系统设计工作量
  • 有助于实现最高功率密度
  • 减少传导损耗
  • 卓越的切换性能
  • 非常适合平行放置
  • 汽车品质与稳健性
  • 第二来源供应商的潜力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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