IAUMN04S7N006G
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUMN04S7N006G

40V、N 沟道、0.6mΩ、汽车功率 MOSFET、mTOLG (8x8)、OptiMOS ™ 7
数据手册
封装

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IAUMN04S7N006G
IAUMN04S7N006G
数据手册
  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    200 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    134 nC
  • QG (typ @10V)
    103 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    0.6 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 推出年份
    2025
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUMN04S7N006GAUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOG-4
封装名 mTOLG
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOG-4
封装名 mTOLG
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IAUMN04S7N006G 是一款高性能 N 通道 OptiMOS ™汽车功率 MOSFET。该设备具有超越 AEC-Q101 的扩展资格、增强的电气测试和坚固的设计，可确保在恶劣环境下可靠运行。工作温度范围为 -55 至 175°C，MSL2 高达 260°C 峰值回流，并且经过 100% 雪崩测试，使其成为要求严格的汽车应用的理想选择。

特性

  • 8x8 mm 2 尺寸，低 R DS(on)
  • 高雪崩能力 高 SOA 坚固性
  • 快速切换时间（开/关）
  • 采用 Cu-Clip 的无引线封装
  • 薄晶圆铜技术
  • 300 毫米内部生产
  • 长引线鸥翼封装
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 8x8 高功率密度
  • 提高电流能力
  • 提高设计坚固性
  • 良好的切换性能
  • 在 8x8m mm2
  • 范围内实现高效冷却
  • 汽车质量包
  • 汽车级品质生产
  • IMS 上的高 TCOB 性能

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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