IAUS300N08S5N012
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUS300N08S5N012

80 V、N 沟道、1.2 mΩ（最大值）、汽车 MOSFET、TOLG（10x12）、OptiMOS ™ 5
数据手册
封装

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IAUS300N08S5N012
IAUS300N08S5N012
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    300 A
  • 最高 IDpuls
    1200 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • QG (typ @10V)
    178 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    231 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.2 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TOLG (PG-HSOG-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™5
  • 推出年份
    2018
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUS300N08S5N012ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
封装尺寸 1800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
封装尺寸 1800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • N沟道 - 增强模式
  • 符合 AEC 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 超低 RDS(on)
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备
文档

设计资源

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