IAUS300N08S5N014T
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUS300N08S5N014T

80 V、N 沟道、最大 1.4 mΩ、汽车 MOSFET、TOLT (10x15)、OptiMOS ™ -5
数据手册
封装

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IAUS300N08S5N014T
IAUS300N08S5N014T
数据手册
  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    300 A
  • QG (typ @10V)
    144 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    187 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.4 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    PG-HDSOP-16
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™5
  • 推出年份
    2020
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUS300N08S5N014TATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
封装尺寸 1800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
封装尺寸 1800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IAUS300N08S5N014T 是一款 1.4 mΩ、顶部冷却 80 V MOSFET，采用 TOLT 封装和英飞凌领先的 OptiMOS ™技术。与其他设备不同，该设备专为 48V 应用而设计。除 48V 辅助应用外，该设备主要用于 DC-DC 转换器和主电池开关。

特性

  • OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET
  • N沟道–增强模式–正常水平
  • 符合 AEC Q101 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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