现货，推荐
符合RoHS标准

IAUZ30N06S5L140

60 V、N沟道、最大14 mΩ、汽车MOSFET、S3O8 (3x3)、OptiMOS ™ -5
数据手册
封装

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IAUZ30N06S5L140
IAUZ30N06S5L140
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    30 A
  • QG (typ @10V)
    9.4 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    12.2 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    14 mΩ
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2.2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    PG-TSDSON-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™5
  • 推出年份
    2020
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUZ30N06S5L140ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
适用于无引线 S3O8（3x3mm²）小尺寸封装的 60V MOSFET 的全新 OptiMOS ™ 5 技术，通过提供低 RDS(on)、Qg 和栅极电容提供领先的性能，同时最大限度地减少传导和开关损耗。

特性

  • 铜夹可承受更高的电流负载
  • 专为快速切换应用而设计
  • 相比之前的技术，Ciss 和 Coss 有所降低
  • 改进的 EMC 行为
  • 符合 AEC-Q101 和 PPAP 要求的设备
  • 符合 RoHS 规定

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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