现货，推荐
符合RoHS标准

IAUZ40N10S5L120

100 V、N 沟道、12.0 mΩ（最大值）、汽车级 MOSFET、S3O8（3x3）、OptiMOS ™ 5
数据手册
封装
每件.
有存货

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IAUZ40N10S5L120
IAUZ40N10S5L120
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    40 A
  • QG (typ @10V)
    17.4 nC
  • QG (typ @10V) max
    22.6 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    12 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • Package
    PG-TSDSON-8
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-5
  • Launch year
    2021
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
IAUZ40N10S5L120ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IAUZ40N10S5L120 是一款 12.0mR 100V MOSFET，采用 S3O8 3x3 mm² 封装，使用英飞凌领先的 OptiMOS ™ 5 技术。除其他用途外，它还用于 LED 照明和电机控制。

特性

  • OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET
  • N沟道增强模式逻辑电平
  • 符合 AEC Q101 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

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设计资源

合作伙伴解决方案

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