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IDB18E120
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已停产
符合RoHS标准

IDB18E120

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IDB18E120
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商品详情

  • 最高 I(FSM)
    78 A
  • 最高 IF
    31 A
  • IF
    18 A
  • 最高 IR
    100 µA
  • Irrm
    20.2 A
  • 最高 Ptot
    113 W
  • Qrr
    1880 nC
  • 最高 RthJC
    1.1 K/W
  • trr
    195 ns
  • 最高 VF
    2.15 V
  • VF
    1.65 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 拓扑结构
    Single
  • 最高 电压等级
    1200 V

OPN
IDB18E120ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
MY
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
MY
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采用 D2PAK TO-263 封装的 1200 V、18 A 发射极控制硅功率二极管具有出色的柔软度和 VF 行为，并且 T j(max) 达到 150°C。根据 IEC61249-2-21 标准，这些二极管也不含卤素。

特性

  • 最低 VF 值
  • 可提供最软的二极管。市场上
  • Tj(max) 为 175°C
  • 符合 JEDEC 要求
  • 更凉爽的封装和更高的效率
  • 出色的 EMI 行为
  • 出色的成本/性能。权衡
  • 低传导损耗
  • 易于并联

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区