不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IDP20C65D2

数据手册
封装
每件.
有存货

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IDP20C65D2
IDP20C65D2
每件.
数据手册

商品详情

  • I(FSM) max
    60 A
  • IF
    10 A
  • IR max
    40 µA
  • Irrm
    4.3 A
  • Ptot max
    68 W
  • Qrr
    0.13 µC
  • RthJC max
    2.2 K/W
  • trr
    50 ns
  • VF
    1.6 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220
  • Operating Temperature
    -40 °C to 175 °C
  • Voltage Class max
    650 V
  • Configuration
    Common Cathode
OPN
IDP20C65D2XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
快速 2 开关 650 V、20 A 发射极控制功率硅二极管，采用共阴极配置和 TO-220 封装，可实现设计优化，实现更紧凑的尺寸、更轻松的组装，从而降低成本。

特性

  • 1.35 V 温度稳定 VF
  • 最高柔软度因数：
  • 极致柔软度
  • 低 EMI 滤波
  • 适用于 18 kHz 至 40 kHz 应用
  • 最低 Irrm：
  • 升压开关损耗最低

应用

文档

文档

设计资源

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