IG1NT052N10R
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IG1NT052N10R

抗辐射、100 V、52 A、PowIR-SMD 封装的 GaN 晶体管 - PowIR-SMD、100 krad TID、COTS
数据手册

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IG1NT052N10R
IG1NT052N10R
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商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@25°C)
    52 A
  • QG
    13 nC
  • QPL部件号
    2N7697
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    6 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    3.9 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    PowIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    Gen 1
  • 认证标准
    COTS
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 强化至 LET (GAN)1 = 70 MeV.cm2/ mg (Au ion)
  • 超低电平 RDS(on)
  • 低电平总感应共振
  • 零反向恢复电荷
  • 密封陶瓷封装
  • 表面安装
  • 重量轻
  • 静电防护等级：每 MIL-STD-750 方法 1C 级 1020

产品优势

  • 隔离 DC-DC 变换器
  • 电机驱动
  • 同步整流
  • 用于 FPGA、 ASIC 和 DSP 磁芯轨的负载点（PoL）变换器

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区