现货，推荐
符合RoHS标准

IGB20N65S5

650 V、20 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO263 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IGB20N65S5
IGB20N65S5
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.08 mJ
  • Eon
    0.19 mJ
  • IC (@ 25°) max
    40 A
  • IC (@ 100°) max
    28 A
  • ICpuls max
    80 A
  • Ptot max
    125 W
  • QGate
    48 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    20 Ω
  • td(off)
    115 ns
  • td(on)
    13 ns
  • tf
    22 ns
  • tr
    14 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE max
    650 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263-3)
  • 开关频率
    2 kHz to 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推荐的
OPN
IGB20N65S5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 D2Pak (TO263) 封装的 650 V、20 A 高速开关 TRENCHSTOP ™ 5 单个 IGBT 寻址应用在 10 kHz 和 40 kHz 之间切换，以实现高效率、更快的上市周期、降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。

特性

  • 25°C 时 VCEsat 极低，仅为 1.35V
  • IC(n)= 4x 标称电流。@100°C Tc
  • 软电流下降特性
  • 无尾电流
  • 对称、低电压过冲
  • 最高结温。Tvj=175°C
  • 合格。雅高符合 JEDEC 标准
  • 栅极电压可控：
  • 无意外开启/关闭风险
  • 无需栅极钳位

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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