现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

IGC27T120T8L

1200V功率IGBT芯片

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IGC27T120T8L
IGC27T120T8L

商品详情

  • IC max
    25 A
  • VCE(sat) max
    2.07 V
  • VCE max
    1200 V
  • VDS max
    1200 V
  • VGE(th)
    5.3 V to 6.3 V
  • Operating Temperature
    -40 °C to 175 °C
  • Technology
    IGBT4 Low Power
OPN
IGC27T120T8LX1SA2
产品状态 active and preferred active
英飞凌封装名称 - --
封装名 N/A N/A
包装尺寸 1 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER WAFER SAWN
湿度 N/A N/A
防潮包装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 -
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆

特性

  • 1200 V TRENCHSTOP ™技术
  • 1200 V fieldstop 技术
  • 低开关损耗
  • 正温度系数
  • 易于并联

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }