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IGOT60R070D1
停产
已停产
符合RoHS标准

IGOT60R070D1

停产
氮化镓 CoolGaN ™ 600V e-mode 功率晶体管 IGOT60R070D1,实现极致效率和可靠性
多个 OPN 可用

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商品详情

  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    31 A
  • 最高 IDpuls (@25°C)
    60 A
  • 最高 Ptot
    125 W
  • QG
    5.8 nC
  • RDS (on) (typ)
    55 mΩ
  • 最高 VBRDSS
    600 V
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    0.9 V 至 1.6 V
  • VGS(th)
    1.2 V
  • 产品名称
    IGOT60R070D1
  • 封装
    DSO-20-87
  • 环保认证
    RoHS compliant, Halogen free
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    Industrial

OPN
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA3
产品状态 discontinued discontinued
英飞凌封装名称
封装名 N/A N/A
封装尺寸 800 800
封装类型 TAPE & REEL TAPE & REEL
湿度 3 3
防潮封装 DRY DRY
无铅 No No
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
封装产地
ID
ID
晶圆产地
JP
AT

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
ID
晶圆产地
JP

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
ID
晶圆产地
AT
IGOT60R070D1 可实现更紧凑的拓扑结构,并在更高频率运行下提高效率。它通过了广泛的 GaN 特定资格认证流程,超过了行业标准。它采用引线 SMD DSO-20-87 封装,专为满足现代数据中心、服务器、电信、可再生能源和众多其他应用所需的最佳功率耗散而设计。

特性

  • E-mode HEMT – 通常处于关闭状态
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 具有反向传导能力
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向坚固性
  • 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)
  • 低动态 RDS(on)
  • 顶部冷却

产品优势

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 实现更高的工作频率
  • 降低系统成本
  • 降低 EMI
文档

设计资源

开发者社区