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停产
已停产
符合RoHS标准

IGU04N60T

停产
600 V、4 A IGBT 分立器件，采用 TO-251 封装
数据手册
封装

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IGU04N60T
IGU04N60T
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.084 mJ
  • Eon
    0.061 mJ
  • IC (@ 100°) max
    4 A
  • IC (@ 25°) max
    8 A
  • ICpuls max
    12 A
  • Ptot max
    42 W
  • QGate
    27 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    47 Ω
  • td(off)
    164 ns
  • td(on)
    14 ns
  • tf
    43 ns
  • tr
    7 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • 封装
    TO-251
  • 开关频率
    2 kHz to 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™
  • 软切换
    No
OPN
IGU04N60TAKMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO251-3
封装名 IPAK
包装尺寸 1500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO251-3
封装名 IPAK
包装尺寸 1500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
硬开关 600 V、TO251 封装中的 4 个单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3，由于结合了沟槽单元和场终止概念，可显著提高器件的静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管的组合可进一步最大限度地减少开通损耗。 平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。系数。在 VCEsat
  • 易于并联开关能力
  • 非常柔软的反并联二极管
  • 高耐用性
  • 温度稳定性行为
  • 低 EMI
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布

产品优势

  • 最高效率
  • 全面的产品组合
  • 高设备可靠性
  • 低传导和开关损耗

文档

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