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IGW50N60TP
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IGW50N60TP

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600 V、50 A IGBT 分立器件，采用 TO-247 封装
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IGW50N60TP
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商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.39 mJ
  • Eon
    2.25 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    80 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    61 A
  • 最高 ICpuls
    150 A
  • 最高 Ptot
    319.2 W
  • QGate
    249 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    7 Ω
  • td(off)
    277 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    55 ns
  • tr
    34 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • VGE(th) 范围
    4.1 V 至 5.7 V
  • 封装
    TO-247
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™Performance 2-30 kHz
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 30 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ Perf.
OPN
IGW50N60TPXKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
600 V TRENCHSTOP™ Performance系列 IGBT，将导通和关断能量之间的最佳权衡与出色的鲁棒性和 EMI 性能相结合。

特性

  • 更低的总开关损耗 (Ets)
  • 8 kHz 时 Ets 降低 7%
  • 15 kHz 时 Ets 降低 11%
  • 低速 dV/dt 开关。(<5V/ns)
  • 低 EMI
  • 改进的电池设计
  • 高可靠性
文档

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