IGW50N60T
在产
符合RoHS标准
无铅

IGW50N60T

采用 TO-247 封装的 600 V、50 A IGBT
数据手册
封装

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IGW50N60T
IGW50N60T
数据手册
  • Eoff (Hard Switching)
    1.4 mJ
  • Eon
    1.2 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    64 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    90 A
  • 最高 ICpuls
    150 A
  • 最高 Ptot
    333 W
  • QGate
    310 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    7 Ω
  • td(off)
    299 ns
  • td(on)
    26 ns
  • tf
    29 ns
  • tr
    29 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • 封装
    TO-247
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™
推荐的
OPN
IGW50N60TFKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247 封装的硬开关 600 V、50 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3，由于结合了沟槽单元和场终止概念，可显著提高器件的静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管的组合可进一步最大限度地减少开通损耗。 平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。系数。在 VCEsat
  • 易于并行切换
  • 高耐用性
  • 温度稳定性行为
  • 低 EMI 辐射
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布

产品优势

  • 最高效率
  • 全面的产品组合
  • 高设备可靠性
  • 低传导和开关损耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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