IHW20N65R5
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IHW20N65R5

650 V、20 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO-247 封装
数据手册
封装

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IHW20N65R5
IHW20N65R5
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.16 mJ
  • Eon
    0.54 mJ
  • 最高 IC (@ 25° )
    40 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    20 A
  • 最高 ICpuls
    60 A
  • 最高 IF
    19 A
  • 最高 IFpuls
    60 A
  • Irrm
    29 A
  • 最高 Ptot
    150 W
  • QGate
    97 nC
  • Qrr
    1550 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    250 ns
  • td(on)
    23 ns
  • tf
    7 ns
  • tr
    16 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.7 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    RC-H5 Series 20-150 kHz
  • 开关频率 范围
    20 kHz 至 150 kHz
  • 技术
    IGBT RC Soft Switching
推荐的
OPN
IHW20N65R5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
反向导电 R5-H5 650 V、20 A IGBT 分立器件，带有 TO247 封装的单片集成二极管，适用于软开关应用和需要一些硬开关功能的设计。RC-H5 IGBT 是对上一代反向传导 IGBT 的补充，并扩展了 RC-H 系列的性能领先地位，专注于系统效率和可靠性。

特性

  • 最低 VCE(sat) 和优化的 Eoff
  • 损耗降低高达 30%
  • 650V 阻断电压
  • 可进行硬开关

产品优势

  • 一流的效率
  • 更高的可靠性
  • 适用于频率高达 40 kHz 的设计
  • 更低的结温和外壳温度
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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