IHW40N65R5
在产
符合RoHS标准
无铅

IHW40N65R5

650 V、40 A IGBT 分立器件,带反并联二极管,采用 TO-247 封装

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IHW40N65R5
IHW40N65R5


商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.37 mJ
  • Eon
    1.1 mJ
  • 最高 IC (@ 25° )
    80 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    40 A
  • 最高 ICpuls
    120 A
  • 最高 IF
    32 A
  • 最高 IFpuls
    120 A
  • Irrm
    37.2 A
  • 最高 Ptot
    230 W
  • QGate
    193 nC
  • Qrr
    2750 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    260 ns
  • td(on)
    34 ns
  • tf
    13 ns
  • tr
    25 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.7 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    RC-H5 Series 20-150 kHz
  • 开关频率 范围
    20 kHz 至 150 kHz
  • 技术
    IGBT RC Soft Switching

OPN
IHW40N65R5XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
反向导电 R5-H5 650 V、40 A IGBT 分立器件,采用单片集成二极管 TO247 封装,适用于软开关应用和需要一些硬开关功能的设计。RC-H5 IGBT 是对上一代反向传导 IGBT 的补充,并扩展了 RC-H 系列的性能领先地位,专注于系统效率和可靠性。

特性

  • 最低 VCE(sat) 和优化的 Eoff
  • 损耗降低高达 30%
  • 650 V 阻断电压
  • 可进行硬开关操作

产品优势

  • 一流的效率
  • 更高的可靠性
  • 适用于频率高达 40 kHz 的设计
  • 更低的结温和外壳温度
文档

设计资源

开发者社区